Cadence基础教学——以MOS仿真为例（包括calculator的础教使用）Cadence基础教学——以MOS仿真为例（包括calculator的使用）一、MOS仿真基础Cadence是为例一款广泛应用于半导体和集成电路设计的软件，其中MOS仿真是包括ххх студент模拟电路设计中不可或缺的一部分。以下将以NMOS和PMOS器件的础教I-V特性仿真为例，介绍Cadence中的为例MOS仿真步骤。1. NMOS器件的包括I-V特性仿真管子参数设置首先，在Cadence中设置NMOS管的础教参数。例如，为例可以设置沟道宽度W为10um，包括ххх студент沟道长度L为1um。础教иван царевич и серый волк онлайн仿真电路搭建接下来，为例搭建仿真电路。包括使用analogLib库中的础教gnd（接地）、vdd（电源）和vdc（直流电压源）等元件，为例以及设置好的包括NMOS管，按照案例电路进行连接。仿真Id-VGS转移特性曲线（1）启动ADE L：点击左上角Launch的ADE L进入仿真环境。（2）设置变量：在Variables中Edit，Copy мультики 2021 смотреть онлайн бесплатномультфильмы смотреть онлайн бесплатно1 99 000 мультфильмырусские мультфильмы 2021смотреть фильмы онлайн бесплатнорусские мультфильмы смотреть бесплатнофильмы бесплатные from设置vds（漏源电压）和vgs（栅源电压）的初值为1V。（3）设置仿真分析：在analysis中选择Choose...进行仿真设置，按照图示配置转移特性曲线的仿真参数。（4）设置输出：在Outputs中选择To Be Plotted，选择Select On Design，并点击漏端（电流点，电压线）设置输出。（5）运行仿真：点击右侧绿色按钮运行仿真，得到转移特性曲线图。若需进行多参数扫描，可在ADE L界面的Tools中选择Parametric analysis...进行设置，得到多参数扫描的转移特性曲线图。仿真输出特性曲线类似地，可以修改扫描变量为vds，得到NMOS管的输出特性曲线图。2. PMOS器件的I-V特性仿真PMOS器件的仿真方法与NMOS类似，但需注意PMOS与NMOS在电压和电流方向上的区别。二、MOS管参数查看ADE仿真结束后，可通过以下步骤查看MOS管的详细参数：点击工具栏Results→Print→DC Operating Points。在Schematic界面点击你想查看的MOS管，即可获取MOS管的跨导gm、漏端电流Id、阈值电压Vth、Vds、Vgs等详细参数。三、Calculator（计算器）的使用Cadence中的Calculator是一个强大的工具，可用于计算和显示仿真结果中的参数。调出Function мультфильмы сериям онлайн Panel：如果Calculator的函数面板未显示，可右键点击空白处选择Function Panel调出。使用Calculator计算参数：以计算NMOS管的gm/Id和Id/W曲线为例：（1）确保MOS管工作在饱和区（region为2），先进行一次仿真。（2）在Results Browser中选择dcOpinfo，找到M0（即MOS管实例），右键选择参数gm并加入到Calculator中。（3）同样地，找到参数Id并加入到Calculator中。（4）在Calculator中使用除号“/”将gm除以Id，得到gm/Id的表达式。（5）新建公式名称为gm/id，并在Calculator中填写好表达式，点击添加公式。（6）类似地，可以设置Id/W的表达式，注意W在instance参数中查找。进行参数扫描仿真：使用Tools→Parametric Analysis进行参数扫描仿真，设置相应的参数范围，得到gm/Id和Id/W的曲线图。

通过以上步骤，即可在Cadence中完成MOS仿真的基础操作，并学会使用Calculator工具进行参数计算和显示。希望这些内容能帮助初学者更好地掌握Cadence的使用技巧。